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  • APT150GN120JDQ4美高森美IGBT模塊/功率模塊/功率半導體模塊

    IGBT是第三代功率模塊,工作頻率1-20khz,應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,即dc/ac變換中。例電動汽車、UPS、開關電源等。問世有十年多歷史,幾乎已替代一切其它功率器件,例SCR、GTO、GTR、雙極型達林頓管等,單個元件電壓可達4.0KV(pt結構)一6.5KV(npt結構),電流可達1.5KA,是較為理想的功率模塊。美高森美IGBT模塊/功率模塊/功率半導體模塊

    更新時間:2024-03-22
    產品型號:APT150GN120JDQ4
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  • APT150GT120JR APT100GLQ65APT200GN60JDQ4 美高森美IGBT功率模塊現貨

    IGBT是第三代功率模塊,工作頻率1-20khz,應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,即dc/ac變換中。例電動汽車、UPS、開關電源等。問世有十年多歷史,幾乎已替代一切其它功率器件,例SCR、GTO、GTR、雙極型達林頓管等,單個元件電壓可達4.0KV(pt結構)一6.5KV(npt結構),電流可達1.5KA,是較為理想的功率模塊。APT200GN60JDQ4 美高森美IGBT功率模塊現貨

    更新時間:2024-03-22
    產品型號:APT150GT120JR APT100GLQ65
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  • APT75GT120JU2/75GP120JDQ3APT100GT120JU2 美高森美IGBT模塊功率模塊

    IGBT是第三代功率模塊,工作頻率1-20khz,應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,即dc/ac變換中。例電動汽車、UPS、開關電源等。問世有十年多歷史,幾乎已替代一切其它功率器件,例SCR、GTO、GTR、雙極型達林頓管等,單個元件電壓可達4.0KV(pt結構)一6.5KV(npt結構),電流可達1.5KA,是較為理想的功率模塊。APT100GT120JU2 美高森美IGBT模塊功率模塊

    更新時間:2024-03-22
    產品型號:APT75GT120JU2/75GP120JDQ3
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  • IXGN50N120C3H1/IXDN55N120IXDN75N120艾賽斯IGBT模塊/晶閘管/功率模塊

    IGBT是第三代功率模塊,工作頻率1-20khz,應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,即dc/ac變換中。例電動汽車、UPS、開關電源等。問世有十年多歷史,幾乎已替代一切其它功率器件,例SCR、GTO、GTR、雙極型達林頓管等,單個元件電壓可達4.0KV(pt結構)一6.5KV(npt結構),電流可達1.5KA,是較為理想的功率模塊。IXDN75N120艾賽斯IGBT模塊/晶閘管/功率模塊

    更新時間:2024-03-22
    產品型號:IXGN50N120C3H1/IXDN55N120
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  • APT150GN60J/APT100GN120J美高森美IGBT模塊全新現貨半導體電子元器件

    IGBT發展趨向是高耐壓、大電流、高速度、低壓降、高可靠、低成本為目標的,特別是發展高壓變頻器的應用,簡化其主電路,減少使用器件,提高可靠性,降低制造成本,簡化調試工作等,都與IGBT有密切的內在聯系,所以世界各大器件公司都在奮力研究、開發,予估近2-3年內,會有突破性的進展。已有適用于高壓變頻器的有電壓型HV-IGBT,igct,電流型sgct等。美高森美IGBT模塊全新現貨半導體電子元器件

    更新時間:2024-06-24
    產品型號:APT150GN60J/APT100GN120J
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